片式二极管概述

片式二极管【SMD Diode】

全称：片式晶体二极管，也称为：贴片二极管。
片式晶体二极管属于最基础的片式半导体器件，其最重要的性质就是单向导电特性。半导体是一种特殊性质的物质，它不像导体一样可以导电，也不像绝缘体那样不能导电，而是介于二者之间，所以称之为半导体，在半导体中有二种最重要的元素就是硅和锗，晶体二极管凭据所用的半导体质料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
晶体二极管的实质是一个由P型半导体和N型半导体形成的“PN结”，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于“PN结”两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的相互抑消作用，使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步增强，形成在一定反向电压规模内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压到达一定水平时，P-N结空间电荷层中的电场强度到达临界值发生载流子的倍增历程，形成大量电子空穴对，发生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
片式二极管的种类繁多，目前，主要有以下系列产物获得了广泛应用：

• 稳压二极管、整流二极管、开关二极管、发光二极管、肖特基二极管、快恢复二极管以及瞬变抑制二极管等

完整的功率容限曲线

降低三极管的发烧损耗

放大倍数hFE和贮存时间ts

完整的功率容限曲线

功率容限(SOA)是一个曲线困绕的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值凌驾曲线规模时，三极管将发生功率击穿而损坏。在实际应用中，某些开关电源线路负载为感性，三极管关断后，电感负载发生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才气蒙受这样的反压。

必须注意：目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件，纵然是有条件的半导体三极管生产厂家，具备测试该指标的能力，但是仪器测试出的往往只是宁静事情区界限点上的数值，而不是SOA曲线的全部。这样就有可能泛起：在一点上SOA值完全一样的两对三极管，实际线路上使用历程中，一对三极管损坏了，而另外一对却没有损坏。

因此，在选择灯用三极管的历程中，一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。

降低三极管的发烧损耗

目前，节能灯、电子镇流器普遍接纳上下管轮流导通事情的线路，电感负载发生的自感电势反峰电压经由导通管泄放，所以普遍感应三极管常温下SOA值在节能灯、电子镇流器线路中不十分敏感。而降低三极管的发烧损耗却引起了业界的普遍关注，这是因为三极管的二次击穿容限是随着温度的升高而降低的(图2)。

三极管在电路中事情一段时间以后，线路元器件会发烧(包罗管子自己的发烧)，温度不停上升导致三极管hFE增大，开关性能变差，二次击穿特性下降。反过来，进一步促使管子发烧量增大，这样的恶性循环最终导致三极管击穿烧毁。因此，降低三极管自己的发烧损耗是提高三极管使用可靠性的重要措施。

实验讲明：晶体管截止状态的功耗很小；导通状态的耗散占一定比例，但变化余地不大。晶体管耗散主要发生在由饱和向截止和由截止向饱和的过渡时期，而且与线路参数的选择及三极管的上升时间tr、下降时间tf有很大关系。

最近几年，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都充实注意到降低产物的开关损耗，例如，国产BUL6800系列产物在优化MJE13000系列产物的基础上，大幅提高了产物的开关损耗性能。

此外，控制磁环参数也有利于控制损耗。因为磁环参数的变化会引起三极管Ib的变化，影响三极管上升和下降时间。三极管过驱动可以造成三极管严重发烧烧毁，而三极管驱动不足，则可能造成三极管冷态启动时瞬时击穿损坏。

放大倍数hFE和贮存时间ts

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，已往人们对ts的认识以及ts的丈量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：第一、hFE应尽可能高，以便用最少的基极电流获得最大的事情电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的最大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受接待(厥后，由于基极回路流行接纳电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发烧。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻 Rb的调整，也可以降低饱和深度。

目前，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的事情电流增大易导致三极管的损坏。虽然可以调整扼流圈电感及其他元器件参数来控制整机功率，但ts的离散性，将使产物的一致性差，可靠性下降。例如，在石英灯电子变压器线路中，贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器事情极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管Ic在每个周期泛起尖峰，最后导致器件过热损坏。

如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机事情电流的上下半波将严重差池称，肩负重的那只三极管将容易损坏，线路也将发生更多的谐波和电磁滋扰。

实际使用讲明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hFE参数的依赖水平。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用BUT11A来做220V40W电子镇流器，其出发点是BVceo、BVcbo数值高，但是目前绝大部门电子镇流器线路中，已经没有须要过高选择三极管的电压参数。